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影響分子束外延的因素有哪些

日期:2025-05-01 20:12
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摘要:
 影響分子束外延的因素:

1、壓力的影響

    在10-3帕真空度下,在1秒鐘時間內殘余氣體的單原于層就能夠覆蓋臂開的表面,如果在10-5到10-7Pa真空條件下臂開并且馬上進行蒸鍍,那么應當更進一步地降低外延溫度,然而通過實驗證明,并不是這樣,例如M和A在高真空下進行外延蒸鍍與在超高真空下進行外延蒸鍍,它們的結果的差別并沒有很大。但是銅、銀和金在超高真空下,使(001)面平行于基片,那么單晶膜的生成就會變得相當困難,這表明對銅、銀和金進行外延蒸鍍時,還需要對基片表面進行適用的處理。

2、蒸發(fā)速度的影響

    若對蒸發(fā)速度進行降低也會降低碲的外延溫度,將金蒸鍍外延于氯化鈉時,也會降低氯化鈉上面的平行方位的蒸發(fā)速度,就能夠在較低的基片溫度下進行晶體外延。

3、外延溫度的影響

    為了導致外延,基片的溫度應當達到某一溫度值,那么加熱超過外延溫度就變得相當有必要。并且外延溫度還和其他的條件相關。當條件不一樣時,外延溫度也會存在差異。

4、基片結晶的臂開的影響

    在以往的常規(guī)研究方面,基片結晶是在大氣下臂開(機械折斷使得結晶面產生)之后往真空裝置中放入來對外延單晶膜進行制取。晶面如果臂開就馬上進行制膜的方法已經被研究了。因為該兩種方法有所差異,因此其外延溫度也不一樣。在真空下臂開基片結晶會導致處延臨界溫度的值不同。


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