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產品詳情
簡單介紹：
激光分子束外延設備在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長”在基片上形成薄膜。
詳情介紹：
激光分子束外延設備的英文縮寫為ＭＢＥ，這是一種在晶體基片上生長高質量的晶體薄膜的新技術。激光分子束外延設備的優點是：使用的襯底溫度低，膜層生長速率慢，束流強度易于準確控制，膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調整。用這種技術已能制備薄到幾十個原子層的單晶薄膜，以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子阱微結構材料。
激光分子束外延設備的優勢：
1. 由脈沖激光做濺射源，將預外延材料原子濺射出來在襯底外延沉積得到單晶薄膜，RHEED電子槍做原位監測
2. 可放多塊不同尺寸靶材, 靶臺可公自轉，靶基距連續可調
3. 樣品臺襯底可自轉，可加熱
● ID 550 mm
● 應用于III/V族， II/VI族或其他異質結構材料
● 大晶片6英寸，或7x2英寸晶片
● 進樣室和緩沖腔室
● 線性樣品傳輸系統
● 標準法蘭孔數目(標準11個，可按要求增加3個)
● 束流源，氣體源，樣品臺
● 抽真空系統(離子吸附泵，分子泵，低溫泵等)
● 原位表征能力
● 軟件/硬件控制系統
● 額外要求可定制
