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產品詳情
簡單介紹：
MBE分子束外延系統是為了在6英寸襯底上生長高質量的III/V族或者II-VI族異質結構材料而研發的。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。MBE分子束外延系統是公認的非常適合于III/V族， II/VI族或其他異質結構材料生長應用研發與生產。
詳情介紹：
基于于團隊成員的多年研發經驗，我們發展和制造了 MBE分子束外延系統及各種功能的源爐。每個產品都是由MBE專業人才進行組裝和測試的。
MBE分子束外延系統是為了在6英寸襯底上生長高質量的III/V族或者II-VI族異質結構材料而研發的。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。MBE系統是公認的非常適合于III/V族， II/VI族或其他異質結構材料生長應用研發與生產。
MBE分子束外延系統的主要特點是極高的可靠性和普適性。標準的Octoplus 500有11個呈放射狀分布的源孔，可以根據需要增選3個源孔。快速抽真空進樣室配有水平磁力桿傳輸系統，可以在不破壞MBE腔室真空的前提下，簡便地進行樣品傳輸。
MBE分子束外延系統的主要參數規格：
● ID 550 mm
● 應用于III/V族， II/VI族或其他異質結構材料
● 大晶片6英寸，或7x2英寸晶片
● 進樣室和緩沖腔室
● 線性樣品傳輸系統
● 標準法蘭孔數目(標準11個，可按要求增加3個)
● 束流源，氣體源，樣品臺
● 抽真空系統(離子吸附泵，分子泵，低溫泵等)
● 原位表征能力
● 軟件/硬件控制系統
● 額外要求可定制
