產(chǎn)品中心
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產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
激光分子束外延設(shè)備在超高真空條件下,由裝有各種所需組分的爐子加熱而產(chǎn)生的蒸氣,經(jīng)小孔準(zhǔn)直后形成的分子束或原子束,直接噴射到適當(dāng)溫度的單晶基片上,同時控制分子束對襯底掃描,就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長”在基片上形成薄膜。
詳情介紹:
激光分子束外延設(shè)備的英文縮寫為MBE,這是一種在晶體基片上生長高質(zhì)量的晶體薄膜的新技術(shù)。激光分子束外延設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)是:使用的襯底溫度低,膜層生長速率慢,束流強(qiáng)度易于準(zhǔn)確控制,膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調(diào)整。用這種技術(shù)已能制備薄到幾十個原子層的單晶薄膜,以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子阱微結(jié)構(gòu)材料。
激光分子束外延設(shè)備的優(yōu)勢:
1. 由脈沖激光做濺射源,將預(yù)外延材料原子濺射出來在襯底外延沉積得到單晶薄膜,RHEED電子槍做原位監(jiān)測
2. 可放多塊不同尺寸靶材, 靶臺可公自轉(zhuǎn),靶基距連續(xù)可調(diào)
3. 樣品臺襯底可自轉(zhuǎn),可加熱
● ID 550 mm
● 應(yīng)用于III/V族, II/VI族或其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料
● 大晶片6英寸,或7x2英寸晶片
● 進(jìn)樣室和緩沖腔室
● 線性樣品傳輸系統(tǒng)
● 標(biāo)準(zhǔn)法蘭孔數(shù)目(標(biāo)準(zhǔn)11個,可按要求增加3個)
● 束流源,氣體源,樣品臺
● 抽真空系統(tǒng)(離子吸附泵,分子泵,低溫泵等)
● 原位表征能力
● 軟件/硬件控制系統(tǒng)
● 額外要求可定制